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金融界2025年7月16日�‍�消息，国家�知识�产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公�司申请一项名为“去除介电层的方法、栅极结构的形成方法及半导体结构”的专利�，公开号CN120322016A，申请日期为2025年03月…